2024-2-6

1、項目名稱(chēng)：GaN自支撐襯底項目（一期工程）

2、建設單位：珠海方唯成半導體材料有限責任公司

3、建設地點(diǎn)：珠海市香洲區金鳳路三溪科創(chuàng )城發(fā)展中心三溪智造港3號永田路399號2棟1樓

4、委托日期：2024年2月1日

5、主要建設內容：珠海方唯成半導體材料有限責任公司氮化鎵自支撐襯底（一期工程），擬建設于珠海市香洲區金鳳路三溪科創(chuàng )城發(fā)展中心三溪智造港3號永田路399號2棟1樓（項目中心位置：N22°17′52.800″，E113°19′33.312″），公司主要生產(chǎn)半導體材料襯底，開(kāi)發(fā)和研究電子專(zhuān)用材料，規劃產(chǎn)能為年產(chǎn)6000片毛片襯底，本次項目申報內容屬于整體項目的試驗階段，主要通過(guò)試驗測試，確保能夠成功生產(chǎn)4.5吋氮化鎵自支撐襯底后，再進(jìn)行整體量產(chǎn)，實(shí)驗測試氮化鎵襯底數量為5片。項目總投資5000萬(wàn)元，其中環(huán)保投資50萬(wàn)元；項目用地面積2253.1平方米，建筑面積2253.1平方米。